HGTG18N120BND备选型号: NGTB25N120SWG
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- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 附加功能
- HTS代码
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 额定电流
- 极性
- 元素配置
- 功率耗散
- 输入类型
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 上升时间
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 反向恢复时间
- 电压 - 集射极击穿(最大值)
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- 关断时间-标准值(toff)
- IGBT类型
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- 栅极-发射极电压-最大值
- 最大下降时间 (tf)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- JESD-609代码
- 端子表面处理
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 功率 - 最大
- IGBT 1200V 54A 390W TO247ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)10 Weeks通孔通孔TO-247-336.39gSILICON1.2kV2.45V-55°C~150°C TJTube2011yes活跃1 (Unlimited)3EAR99低导通损耗8541.29.00.951.2kV390W54ANPNSingle390WStandard23 μsMOTOR CONTROL22ns1.2kV54A75 ns1200V38 ns2.7V @ 15V, 18A345 nsNPT165nC160A23ns/170ns1.9mJ (on), 1.8mJ (off)20V200ns20.82mm15.87mm4.82mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅-----
- ON SEMICONDUCTOR NGTB25N120SWG IGBT Single Transistor, 50 A, 2 V, 385 W, 1.2 kV, TO-247, 3 PinsLAST SHIPMENTS (Last Updated: 4 days ago)26 Weeks通孔通孔TO-247-33--1.2kV2V-55°C~175°C TJTube2014yesObsolete1 (Unlimited)-EAR99---385W--Single-Standard---2.4V50A154 ns1200V-2.4V @ 15V, 25A-Trench178nC100A87ns/179ns1.95mJ (on), 600μJ (off)--21.4mm16.25mm5.3mm无SVHC-符合RoHS标准无铅e3Tin (Sn)未说明未说明385W
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| NGTB25N120SWG | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | ON SEMICONDUCTOR NGTB25N120SWG IGBT Single Transistor, 50 A, 2 V, 385 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pins | 对比 | |
| NGTB30N120FL2WG | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT Transistors 1200V/30A FAST IGBT FSII | 对比 | |
![]() | STGW30NC120HD | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | STMICROELECTRONICS STGW30NC120HD IGBT Single Transistor, 60 A, 2.75 V, 220 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pins | 对比 |




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