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首页 全部分类 HGTG18N120BND vs STGW30NC120HD

HGTG18N120BND备选型号: STGW30NC120HD

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  • 输入类型
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  • 晶体管应用
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  • 最大集电极电流
  • 反向恢复时间
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
  • 接通时间
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
  • 关断时间-标准值（toff)
  • IGBT类型
  • 闸门收费
  • 集极脉冲电流（Icm）
  • Td（开/关）@25°C
  • 开关能量
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 最大下降时间 (tf)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 端子表面处理
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 极性/通道类型
  • 连续集电极电流
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • ON Semiconductor
    HGTG18N120BND
    ON Semiconductor
    IGBT 1200V 54A 390W TO247
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    10 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    6.39g
    SILICON
    1.2kV
    2.45V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2011
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    低导通损耗
    8541.29.00.95
    1.2kV
    390W
    54A
    NPN
    Single
    390W
    Standard
    23 μs
    MOTOR CONTROL
    22ns
    1.2kV
    54A
    75 ns
    1200V
    38 ns
    2.7V @ 15V, 18A
    345 ns
    NPT
    165nC
    160A
    23ns/170ns
    1.9mJ (on), 1.8mJ (off)
    20V
    200ns
    20.82mm
    15.87mm
    4.82mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STGW30NC120HD
    STMicroelectronics
    STMICROELECTRONICS STGW30NC120HD IGBT Single Transistor, 60 A, 2.75 V, 220 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pins
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    8 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    38.000013g
    SILICON
    1.2kV
    2.75V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    -
    1.2kV
    220W
    30A
    -
    Single
    220W
    Standard
    29 ns
    电源控制
    11ns
    1.2kV
    60A
    152ns
    1200V
    41 ns
    2.75V @ 15V, 20A
    928 ns
    -
    110nC
    -
    29ns/275ns
    1.66mJ (on), 4.44mJ (off)
    25V
    -
    20.15mm
    15.75mm
    5.15mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    PowerMESH™
    e3
    Tin (Sn)
    STGW30
    3
    N-CHANNEL
    30A
    5.75V
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