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HGTP7N60C3D备选型号: HGTP3N60A4

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  • 生命周期状态
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  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
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  • 无铅代码
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • HTS代码
  • 上升时间
  • Td（开/关）@25°C
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 最大下降时间 (tf)
  • ON Semiconductor
    HGTP7N60C3D
    ON Semiconductor
    IGBT 600V 14A 60W TO220AB
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    600V
    1.6V
    Tube
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    150°C
    -40°C
    低导通损耗
    600V
    60W
    14A
    HGTP7N60
    Single
    60W
    COLLECTOR
    Standard
    8.5 ns
    电源控制
    N-CHANNEL
    600V
    14A
    TO-220AB
    20 ns
    2V @ 15V, 7A
    490 ns
    23nC
    56A
    165μJ (on), 600μJ (off)
    9.02mm
    10.28mm
    4.57mm
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    HGTP3N60A4
    ON Semiconductor
    IGBT 600V 17A 70W TO220AB
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    600V
    2.05V
    Tube
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    -
    低导通损耗
    600V
    70W
    17A
    -
    Single
    70W
    COLLECTOR
    Standard
    -
    电源控制
    N-CHANNEL
    600V
    17A
    TO-220AB
    17.5 ns
    2.7V @ 15V, 3A
    180 ns
    21nC
    40A
    37μJ (on), 25μJ (off)
    9.02mm
    10.28mm
    4.57mm
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
    4 Weeks
    1.8g
    SILICON
    -55°C~150°C TJ
    e3
    yes
    EAR99
    Tin (Sn)
    8541.29.00.95
    11ns
    6ns/73ns
    20V
    7V
    100ns
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