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首页 全部分类 IKW50N60H3FKSA1 vs IKW75N60TFKSA1

IKW50N60H3FKSA1备选型号: IKW75N60TFKSA1

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  • RoHS状态
  • 无铅
  • 表面安装
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  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 箱体转运
  • JEDEC-95代码
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
  • Infineon Technologies
    IKW50N60H3FKSA1
    Infineon Technologies
    IGBT 600V 100A 333W TO247-3
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    600V
    -40°C~175°C TJ
    Tube
    TrenchStop®
    2008
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    333W
    3
    Single
    Standard
    333W
    电源控制
    N-CHANNEL
    600V
    100A
    130 ns
    54 ns
    2.3V @ 15V, 50A
    297 ns
    沟渠现场停车
    315nC
    200A
    23ns/235ns
    2.36mJ
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IKW75N60TFKSA1
    Infineon Technologies
    INFINEON IKW75N60TIGBT Single Transistor, General Purpose, 80 A, 2 V, 428 W, 600 V, TO-247, 3 Pins
    16 Weeks
    -
    通孔
    TO-247-3
    -
    SILICON
    80A
    -40°C~175°C TJ
    Tube
    TrenchStop®
    2006
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    3
    -
    Standard
    428W
    电源控制
    N-CHANNEL
    -
    -
    121ns
    69 ns
    2V @ 15V, 75A
    401 ns
    沟渠现场停车
    470nC
    225A
    33ns/330ns
    4.5mJ
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    NO
    高开关速度
    SINGLE
    未说明
    未说明
    R-PSFM-T3
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    COLLECTOR
    TO-247AD
    600V
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