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首页 全部分类 IKW50N60H3FKSA1 vs NGTB50N60S1WG

IKW50N60H3FKSA1备选型号: NGTB50N60S1WG

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  • IGBT类型
  • 闸门收费
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  • 开关能量
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • Infineon Technologies
    IKW50N60H3FKSA1
    Infineon Technologies
    IGBT 600V 100A 333W TO247-3
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    600V
    -40°C~175°C TJ
    Tube
    TrenchStop®
    2008
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    333W
    3
    Single
    Standard
    333W
    电源控制
    N-CHANNEL
    600V
    100A
    130 ns
    54 ns
    2.3V @ 15V, 50A
    297 ns
    沟渠现场停车
    315nC
    200A
    23ns/235ns
    2.36mJ
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NGTB50N60S1WG
    ON Semiconductor
    ON SEMICONDUCTOR NGTB50N60S1WG IGBT Single Transistor, 100 A, 1.8 V, 417 W, 600 V, TO-247, 3 Pins
    4 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    -
    600V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    -
    2009
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    Tin (Sn)
    417W
    -
    Single
    Standard
    417W
    -
    -
    2V
    100A
    94 ns
    -
    2V @ 15V, 50A
    -
    Trench
    220nC
    200A
    100ns/237ns
    1.5mJ (on), 460μJ (off)
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 4 days ago)
    1.8V
    未说明
    未说明
    21.4mm
    16.25mm
    5.3mm
    无SVHC
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