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首页 全部分类 IPB010N06NATMA1 vs IPB014N06NATMA1

IPB010N06NATMA1备选型号: IPB014N06NATMA1

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  • 端子位置
  • 终端形式
  • 引脚数量
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  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
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  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    IPB010N06NATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6 Tab) TO-263
    13 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
    7
    PG-TO263-7
    45A Ta 180A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Cut Tape (CT)
    OptiMOS™
    2006
    活跃
    1 (Unlimited)
    175°C
    -55°C
    300W
    37 ns
    N-Channel
    1mOhm @ 100A, 10V
    4V @ 280μA
    无卤素
    15000pF @ 30V
    208nC @ 10V
    36ns
    60V
    ±20V
    23 ns
    180A
    20V
    60V
    60V
    800μOhm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPB014N06NATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 60V 34A TO263-7
    13 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
    7
    -
    34A Ta 180A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Cut Tape (CT)
    OptiMOS™
    2008
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    214W
    22 ns
    N-Channel
    1.4m Ω @ 100A, 10V
    2.8V @ 143μA
    无卤素
    7800pF @ 30V
    106nC @ 10V
    18ns
    -
    ±20V
    14 ns
    180A
    20V
    60V
    60V
    -
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    含铅
    SILICON
    e3
    no
    6
    EAR99
    Tin (Sn)
    8541.29.00.95
    SINGLE
    鸥翼
    3
    R-PSSO-G6
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    2.8V
    34A
    0.0014Ohm
    420 mJ
    无
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