Infineon Technologies IPB010N06NATMA1
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IPB010N06NATMA1
1211-IPB010N06NATMA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
大陆
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Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6 Tab) TO-263
--最小包装量--
IPB010N06NATMA1详情
Infineon Technologies IPB010N06NATMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
13 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
引脚数
7
供应商器件包装
PG-TO263-7
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
45A Ta 180A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
300W Tc
Turn Off Delay Time
74 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Cut Tape (CT)
系列
OptiMOS™
已出版
2006
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
175°C
最小工作温度
-55°C
功率耗散
300W
接通延迟时间
37 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
1mOhm @ 100A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 280μA
无卤素
无卤素
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
15000pF @ 30V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
208nC @ 10V
上升时间
36ns
漏源电压 (Vdss)
60V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
23 ns
连续放电电流(ID)
180A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
60V
漏源击穿电压
60V
漏源电阻
800μOhm
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
含铅
IPB010N06NATMA1拓展信息
Infineon Technologies
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