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首页 全部分类 IPB010N06NATMA1 vs IRFS7534TRLPBF

IPB010N06NATMA1备选型号: IRFS7534TRLPBF

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  • 晶体管元件材料
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  • 终止次数
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  • 终端形式
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  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
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  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
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  • Infineon Technologies
    IPB010N06NATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6 Tab) TO-263
    13 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
    7
    PG-TO263-7
    45A Ta 180A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Cut Tape (CT)
    OptiMOS™
    2006
    活跃
    1 (Unlimited)
    175°C
    -55°C
    300W
    37 ns
    N-Channel
    1mOhm @ 100A, 10V
    4V @ 280μA
    无卤素
    15000pF @ 30V
    208nC @ 10V
    36ns
    60V
    ±20V
    23 ns
    180A
    20V
    60V
    60V
    800μOhm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
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    -
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    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFS7534TRLPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N CH 60V 195A D2PAK
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
    3
    -
    195A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®, StrongIRFET™
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    20 ns
    N-Channel
    2.4m Ω @ 100A, 10V
    3.7V @ 250μA
    -
    10034pF @ 25V
    279nC @ 10V
    134ns
    -
    ±20V
    93 ns
    195A
    20V
    -
    60V
    -
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    3.949996g
    SILICON
    e3
    2
    EAR99
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    鸥翼
    260
    30
    R-PSSO-G2
    1
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    3.7V
    0.0024Ohm
    944A
    775 mJ
    4.83mm
    10.67mm
    9.65mm
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