IPB120N10S403ATMA1备选型号: STH150N10F7-2
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- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 质量
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 通道数量
- 元素配置
- 漏源击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin TO-263 T/R14 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3120A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™2013yes活跃1 (Unlimited)EAR9920 nsN-Channel3.5m Ω @ 100A, 10V3.5V @ 180μA无卤素10120pF @ 25V140nC @ 10V10ns±20V40 ns120A20V100VROHS3 Compliant含铅-----------
- MOSFET POWER MOSFET37 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3110A Tc-55°C~175°C TJCut Tape (CT)DeepGATE™, STripFET™ VII--活跃1 (Unlimited)EAR9933 nsN-Channel3.9m Ω @ 55A, 10V4.5V @ 250μA-8115pF @ 50V117nC @ 10V57ns±20V33 ns110A20V-ROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)3.949996g未说明未说明STH1501Single100V4.8mm10.4mm10.57mm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | AUIRFS4310 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK | 对比 |
![]() | IPB031NE7N3GATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(2 Tab) TO-263 | 对比 |
![]() | STH150N10F7-2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET POWER MOSFET | 对比 |




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