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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥35.697704
10
¥33.677079
100
¥31.770827
500
¥29.97248
1000
¥28.275924
Infineon Technologies IPB120N10S403ATMA1
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- 对比
IPB120N10S403ATMA1
1211-IPB120N10S403ATMA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
大陆
立即发货

Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin TO-263 T/R
--最小包装量--
¥
总价: ¥
IPB120N10S403ATMA1详情
Infineon Technologies IPB120N10S403ATMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
14 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
引脚数
3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
120A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Power Dissipation (Max)
250W Tc
Turn Off Delay Time
45 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
已出版
2013
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
接通延迟时间
20 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
3.5m Ω @ 100A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 180μA
无卤素
无卤素
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
10120pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
140nC @ 10V
上升时间
10ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
40 ns
连续放电电流(ID)
120A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
100V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
含铅
IPB120N10S403ATMA1拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
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