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首页 全部分类 IPB160N08S403ATMA1 vs AUIRFS4010-7P

IPB160N08S403ATMA1备选型号: AUIRFS4010-7P

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  • 终止次数
  • ECCN 代码
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  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    IPB160N08S403ATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 80V 160A 7-Pin TO-263 T/R
    14 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
    7
    PG-TO263-7-3
    160A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
    2013
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    175°C
    -55°C
    18 ns
    N-Channel
    3.2mOhm @ 100A, 10V
    4V @ 150μA
    无卤素
    7750pF @ 25V
    112nC @ 10V
    11ns
    80V
    ±20V
    38 ns
    160A
    20V
    80V
    7.75nF
    3.2 mΩ
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    AUIRFS4010-7P
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7P
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
    7
    -
    190A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2010
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    -
    -
    19 ns
    N-Channel
    4m Ω @ 110A, 10V
    4V @ 250μA
    -
    9830pF @ 50V
    230nC @ 10V
    56ns
    -
    ±20V
    48 ns
    190A
    20V
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    Tin
    SILICON
    e3
    6
    EAR99
    AVALANCHE RATED, ULTRA-LOW RESISTANCE, HIGH RELIABILITY
    SINGLE
    鸥翼
    260
    30
    R-PSSO-G6
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    380W
    DRAIN
    SWITCHING
    0.004Ohm
    100V
    330 mJ
    4.83mm
    10.67mm
    9.65mm
    无
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