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首页 全部分类 IPB160N08S403ATMA1 vs STH240N10F7-6

IPB160N08S403ATMA1备选型号: STH240N10F7-6

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  • 终端形式
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  • 基本部件号
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  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
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  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • Infineon Technologies
    IPB160N08S403ATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 80V 160A 7-Pin TO-263 T/R
    14 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
    7
    PG-TO263-7-3
    160A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
    2013
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    175°C
    -55°C
    18 ns
    N-Channel
    3.2mOhm @ 100A, 10V
    4V @ 150μA
    无卤素
    7750pF @ 25V
    112nC @ 10V
    11ns
    80V
    ±20V
    38 ns
    160A
    20V
    80V
    7.75nF
    3.2 mΩ
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
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    -
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    -
  • STMicroelectronics
    STH240N10F7-6
    STMicroelectronics
    N-Channel 100 V 0.0025 Ohm Surface Mount STripFET? F7 Power Mosfet-H2PAK-6
    13 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
    -
    -
    180A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Cut Tape (CT)
    STripFET™ F7
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    N-Channel
    2.5m Ω @ 60A, 10V
    4.5V @ 250μA
    -
    11550pF @ 25V
    160nC @ 10V
    -
    100V
    ±20V
    -
    180A
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    SILICON
    6
    EAR99
    超低电阻
    SINGLE
    鸥翼
    未说明
    未说明
    STH240
    R-PSSO-G6
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    0.0025Ohm
    720A
    100V
    500 mJ
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