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IPB160N08S403ATMA1备选型号: IRFS4010TRL7PP
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
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- 最小工作温度
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 输入电容
- 最大rds
- RoHS状态
- 无铅
- JESD-609代码
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 漏源击穿电压
- 栅源电压
- 达到SVHC
- 辐射硬化
Trans MOSFET N-CH 80V 160A 7-Pin TO-263 T/R14 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)7PG-TO263-7-3160A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™2013Obsolete1 (Unlimited)175°C-55°C18 nsN-Channel3.2mOhm @ 100A, 10V4V @ 150μA无卤素7750pF @ 25V112nC @ 10V11ns80V±20V38 ns160A20V80V7.75nF3.2 mΩROHS3 Compliant含铅----------
MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-712 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB7-190A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2008活跃1 (Unlimited)--19 nsN-Channel4m Ω @ 110A, 10V4V @ 250μA-9830pF @ 50V230nC @ 10V56ns-±20V48 ns190A20V---ROHS3 Compliant无铅e3EAR99Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrierSingle增强型MOSFET380W100V4 V无SVHC无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFS4010TRL7PP | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB | MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7 | 对比 |
 | AUIRFS4010-7P | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab) | MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7P | 对比 |
 | STH240N10F7-6 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab) | N-Channel 100 V 0.0025 Ohm Surface Mount STripFET? F7 Power Mosfet-H2PAK-6 | 对比 |
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