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首页 全部分类 IPD031N03LGATMA1 vs IPD040N03LGBTMA1

IPD031N03LGATMA1备选型号: IPD040N03LGBTMA1

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  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
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  • 已出版
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  • 终止次数
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  • 端子位置
  • 终端形式
  • JESD-30代码
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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
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  • 无卤素
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
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  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 供应商器件包装
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 元素配置
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 漏源击穿电压
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • Infineon Technologies
    IPD031N03LGATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2 Tab) TO-252
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    90A Tc
    2.2V @ 250μA
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2008
    e3
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
    SINGLE
    鸥翼
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    94W
    DRAIN
    9 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    3.1m Ω @ 30A, 10V
    无卤素
    5300pF @ 15V
    51nC @ 10V
    6ns
    ±20V
    5 ns
    90A
    20V
    30V
    0.004Ohm
    400A
    60 mJ
    无
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPD040N03LGBTMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    -
    90A Tc
    2.2V @ 250μA
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2008
    -
    -
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    7.4 ns
    N-Channel
    -
    4mOhm @ 30A, 10V
    -
    3900pF @ 15V
    38nC @ 10V
    -
    ±20V
    -
    90A
    20V
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    PG-TO252-3-11
    175°C
    -55°C
    Single
    30V
    30V
    3.9nF
    4mOhm
    4 mΩ
    2.41mm
    6.73mm
    6.22mm
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