您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 IPD031N03LGATMA1 vs IRLR8103VPBF

IPD031N03LGATMA1备选型号: IRLR8103VPBF

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 终端形式
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 无卤素
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • 电阻
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 元素配置
  • 阈值电压
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • Infineon Technologies
    IPD031N03LGATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2 Tab) TO-252
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    90A Tc
    2.2V @ 250μA
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2008
    e3
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
    SINGLE
    鸥翼
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    94W
    DRAIN
    9 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    3.1m Ω @ 30A, 10V
    无卤素
    5300pF @ 15V
    51nC @ 10V
    6ns
    ±20V
    5 ns
    90A
    20V
    30V
    0.004Ohm
    400A
    60 mJ
    无
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRLR8103VPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 91A DPAK
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    -
    91A Tc
    3V @ 250μA
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2004
    -
    -
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    89W
    -
    10 ns
    N-Channel
    -
    9m Ω @ 15A, 10V
    -
    2672pF @ 16V
    27nC @ 5V
    9ns
    ±20V
    18 ns
    91A
    20V
    -
    -
    -
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    Contains Lead, Lead Free
    Tin
    9mOhm
    30V
    89A
    Single
    3V
    30V
    30V
    3 V
    2.3876mm
    6.7056mm
    6.22mm
    无SVHC
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
IRLR8103VPBF IRLR8103VPBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 MOSFET N-CH 30V 91A DPAK 对比
IRFH5302TRPBF IRFH5302TRPBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-PowerVDFN Transistor: N-MOSFET; unipolar; HEXFET; 30V; 32A; 3.6W; PQFN5X6 对比
IPD040N03LGBTMA1 IPD040N03LGBTMA1 Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3 对比