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IPD031N03LGBTMA1备选型号: IPD040N03LGBTMA1
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- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 输入电容
- 漏源电阻
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- 元素配置
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- 长度
- 宽度
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63PG-TO252-390A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)OptiMOS™2011不用于新设计1 (Unlimited)175°C-55°C94W9 nsN-Channel3.1mOhm @ 30A, 10V2.2V @ 250μA5300pF @ 15V51nC @ 10V6ns30V±20V5 ns90A20V30V5.3nF3.1mOhm3.1 mΩROHS3 Compliant------- MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63PG-TO252-3-1190A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)OptiMOS™2008不用于新设计1 (Unlimited)175°C-55°C-7.4 nsN-Channel4mOhm @ 30A, 10V2.2V @ 250μA3900pF @ 15V38nC @ 10V-30V±20V-90A20V30V3.9nF4mOhm4 mΩROHS3 Compliant12 Weeks3Single2.41mm6.73mm6.22mm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRLR8103VPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 30V 91A DPAK | 对比 |
 | IRFH5302TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerVDFN | Transistor: N-MOSFET; unipolar; HEXFET; 30V; 32A; 3.6W; PQFN5X6 | 对比 |
| IPD040N03LGBTMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3 | 对比 |
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