您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 IPD040N03LGBTMA1 vs IRFH5302TRPBF

IPD040N03LGBTMA1备选型号: IRFH5302TRPBF

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 供应商器件包装
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 元素配置
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 晶体管元件材料
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子位置
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    IPD040N03LGBTMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    PG-TO252-3-11
    90A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2008
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    175°C
    -55°C
    Single
    7.4 ns
    N-Channel
    4mOhm @ 30A, 10V
    2.2V @ 250μA
    3900pF @ 15V
    38nC @ 10V
    30V
    ±20V
    90A
    20V
    30V
    3.9nF
    4mOhm
    4 mΩ
    2.41mm
    6.73mm
    6.22mm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFH5302TRPBF
    Infineon Technologies
    Transistor: N-MOSFET; unipolar; HEXFET; 30V; 32A; 3.6W; PQFN5X6
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    -
    32A Ta 100A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2009
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    18 ns
    N-Channel
    2.1m Ω @ 50A, 10V
    2.35V @ 100μA
    4400pF @ 15V
    76nC @ 10V
    -
    ±20V
    32A
    20V
    30V
    -
    -
    -
    838.2μm
    5.9944mm
    5mm
    ROHS3 Compliant
    SILICON
    5
    EAR99
    2.1MOhm
    DUAL
    R-PDSO-N5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    100W
    DRAIN
    SWITCHING
    51ns
    18 ns
    400A
    1.8 V
    无SVHC
    无
    无铅
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
IRFH5302TRPBF IRFH5302TRPBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-PowerVDFN Transistor: N-MOSFET; unipolar; HEXFET; 30V; 32A; 3.6W; PQFN5X6 对比
FDD8874 FDD8874 ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-252-3 MOSFET 30V N-Channel PowerTrench 对比
NTD110N02RT4 NTD110N02RT4 ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 MOSFET N-CH 24V 12.5A DPAK 对比