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首页 全部分类 IPD040N03LGBTMA1 vs NTD110N02RT4

IPD040N03LGBTMA1备选型号: NTD110N02RT4

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  • 漏极-源极导通最大电阻
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  • Infineon Technologies
    IPD040N03LGBTMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    PG-TO252-3-11
    90A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2008
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    175°C
    -55°C
    Single
    7.4 ns
    N-Channel
    4mOhm @ 30A, 10V
    2.2V @ 250μA
    3900pF @ 15V
    38nC @ 10V
    30V
    ±20V
    90A
    20V
    30V
    3.9nF
    4mOhm
    4 mΩ
    2.41mm
    6.73mm
    6.22mm
    ROHS3 Compliant
    -
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  • ON Semiconductor
    NTD110N02RT4
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 24V 12.5A DPAK
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    -
    -
    12.5A Ta 110A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    2009
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    Single
    -
    N-Channel
    4.6m Ω @ 20A, 10V
    2V @ 250μA
    3440pF @ 20V
    28nC @ 4.5V
    -
    ±20V
    110A
    20V
    24V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Non-RoHS Compliant
    SILICON
    e0
    2
    Tin/Lead (Sn/Pb)
    8541.29.00.95
    24V
    鸥翼
    235
    not_compliant
    110A
    未说明
    3
    R-PSSO-G2
    不合格
    增强型MOSFET
    2.88W
    DRAIN
    SWITCHING
    39ns
    21 ns
    12.5A
    0.0062Ohm
    120 mJ
    含铅
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