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首页 全部分类 IPD26N06S2L35ATMA2 vs IPD25N06S240ATMA1

IPD26N06S2L35ATMA2备选型号: IPD25N06S240ATMA1

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  • 端子位置
  • 终端形式
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  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 参考标准
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 接通延迟时间
  • 无卤素
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    IPD26N06S2L35ATMA2
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 55V 30A Automotive 3-Pin(2 Tab) TO-252
    10 Weeks
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    表面贴装
    表面贴装
    3
    SILICON
    68W Tc
    2006
    OptiMOS™
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~175°C TJ
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    超低电阻
    SINGLE
    鸥翼
    未说明
    not_compliant
    未说明
    AEC-Q101
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    35m Ω @ 13A, 10V
    2V @ 26μA
    621pF @ 25V
    24nC @ 10V
    ±20V
    30A
    55V
    0.047Ohm
    120A
    80 mJ
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPD25N06S240ATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 55V 29A TO252-3
    -
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    表面贴装
    表面贴装
    3
    SILICON
    29A Tc
    2006
    OptiMOS™
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~175°C TJ
    -
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    -
    -
    SINGLE
    鸥翼
    -
    -
    -
    -
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    40m Ω @ 13A, 10V
    4V @ 26μA
    513pF @ 25V
    18nC @ 10V
    ±20V
    29A
    55V
    0.04Ohm
    116A
    80 mJ
    ROHS3 Compliant
    含铅
    8 ns
    无卤素
    20ns
    19 ns
    20V
    无
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