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首页 全部分类 IPD26N06S2L35ATMA2 vs IRFR4105ZTRPBF

IPD26N06S2L35ATMA2备选型号: IRFR4105ZTRPBF

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  • 箱体转运
  • 场效应管类型
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  • Vgs（最大值）
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  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
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  • 电阻
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
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  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 恢复时间
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    IPD26N06S2L35ATMA2
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 55V 30A Automotive 3-Pin(2 Tab) TO-252
    10 Weeks
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    表面贴装
    表面贴装
    3
    SILICON
    68W Tc
    2006
    OptiMOS™
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~175°C TJ
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    超低电阻
    SINGLE
    鸥翼
    未说明
    not_compliant
    未说明
    AEC-Q101
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    35m Ω @ 13A, 10V
    2V @ 26μA
    621pF @ 25V
    24nC @ 10V
    ±20V
    30A
    55V
    0.047Ohm
    120A
    80 mJ
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFR4105ZTRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
    12 Weeks
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    表面贴装
    表面贴装
    3
    SILICON
    30A Tc
    2003
    HEXFET®
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~175°C TJ
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
    -
    鸥翼
    260
    -
    30
    -
    R-PSSO-G2
    -
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    24.5m Ω @ 18A, 10V
    4V @ 250μA
    740pF @ 25V
    27nC @ 10V
    ±20V
    30A
    -
    -
    -
    29 mJ
    ROHS3 Compliant
    Contains Lead, Lead Free
    SMD/SMT
    24.5MOhm
    55V
    30A
    Single
    48W
    10 ns
    SWITCHING
    40ns
    24 ns
    4V
    TO-252AA
    20V
    55V
    55V
    29 ns
    4 V
    1.778mm
    6.7056mm
    6.22mm
    无SVHC
    无
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