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首页 全部分类 IPD26N06S2L35ATMA2 vs STD30N6LF6AG

IPD26N06S2L35ATMA2备选型号: STD30N6LF6AG

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  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 参考标准
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • Vgs（最大值）
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  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 基本部件号
  • 晶体管应用
  • 漏源电压 (Vdss)
  • DS 击穿电压-最小值
  • Infineon Technologies
    IPD26N06S2L35ATMA2
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 55V 30A Automotive 3-Pin(2 Tab) TO-252
    10 Weeks
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    表面贴装
    表面贴装
    3
    SILICON
    68W Tc
    2006
    OptiMOS™
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~175°C TJ
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    超低电阻
    SINGLE
    鸥翼
    未说明
    not_compliant
    未说明
    AEC-Q101
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    35m Ω @ 13A, 10V
    2V @ 26μA
    621pF @ 25V
    24nC @ 10V
    ±20V
    30A
    55V
    0.047Ohm
    120A
    80 mJ
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STD30N6LF6AG
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 60V 24A
    -
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    表面贴装
    表面贴装
    -
    SILICON
    40W Tc
    -
    Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6
    Cut Tape (CT)
    -55°C~175°C TJ
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    -
    -
    SINGLE
    鸥翼
    未说明
    -
    未说明
    -
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    25m Ω @ 12A, 10V
    2.5V @ 250μA
    1320pF @ 25V
    26nC @ 10V
    ±20V
    24A
    -
    0.03Ohm
    96A
    130 mJ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    STD30N
    SWITCHING
    60V
    60V
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