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首页 全部分类 IPD50R399CPATMA1 vs IPD60R380E6BTMA1

IPD50R399CPATMA1备选型号: IPD60R380E6BTMA1

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  • RoHS状态
  • 安装类型
  • 晶体管元件材料
  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
  • 操作温度
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  • ECCN 代码
  • 端子位置
  • 终端形式
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • Vgs（最大值）
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 场效应管特性
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    IPD50R399CPATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-Ch 550V 9A DPAK-2
    26 Weeks
    表面贴装
    TO-252-3
    3
    3.949996g
    80 ns
    Tape & Reel (TR)
    2008
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    SMD/SMT
    150°C
    -55°C
    83W
    1
    Single
    83W
    35 ns
    14ns
    500V
    14 ns
    9A
    3V
    20V
    500V
    550V
    550V
    890pF
    399mOhm
    399 mΩ
    3 V
    2.413mm
    6.73mm
    6.223mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    -
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  • Infineon Technologies
    IPD60R380E6BTMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-Ch 650V 10.6A DPAK-2
    -
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    -
    10.6A Tc
    Bulk
    2013
    Discontinued
    1 (Unlimited)
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    11 ns
    9ns
    600V
    8 ns
    10.6A
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    30V
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    650V
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    Non-RoHS Compliant
    表面贴装
    SILICON
    3.5V @ 300μA
    -55°C~155°C TJ
    CoolMOS™
    2
    EAR99
    SINGLE
    鸥翼
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    N-Channel
    SWITCHING
    380m Ω @ 3.8A, 10V
    700pF @ 100V
    32nC @ 10V
    ±20V
    210 mJ
    超级交界处
    无
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