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1

￥12.678543
10

￥11.96089
100

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500

￥10.645149
1000

￥10.042594

Infineon Technologies IPD50R399CPATMA1

Name: IPD50R399CPATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 1211-IPD50R399CPATMA1
Price: 12.68 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

IPD50R399CPATMA1

品牌

Infineon Technologies

utmel 编号

1211-IPD50R399CPATMA1

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

TO-252-3

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET N-Ch 550V 9A DPAK-2

起订量

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IPD50R399CPATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-Ch 550V 9A DPAK-2

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IPD50R399CPATMA1详情

技术参数

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型号对比

Infineon Technologies IPD50R399CPATMA1重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
工厂交货时间

26 Weeks
底架

表面贴装
包装/外壳

TO-252-3
引脚数

3
质量

3.949996g
Turn Off Delay Time

80 ns
包装

Tape & Reel (TR)
已出版

2008
零件状态

不用于新设计
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
终端

SMD/SMT
最高工作温度

150°C
最小工作温度

-55°C
最大功率耗散

83W
通道数量

1
元素配置

Single
功率耗散

83W
接通延迟时间

35 ns
上升时间

14ns
漏源电压 (Vdss)

500V
下降时间（典型值）

14 ns
连续放电电流(ID)

9A
阈值电压

3V
栅极至源极电压(Vgs)

20V
最大双电源电压

500V
漏源击穿电压

550V
双电源电压

550V
输入电容

890pF
漏源电阻

399mOhm
最大rds

399 mΩ
栅源电压

3 V
高度

2.413mm
长度

6.73mm
宽度

6.223mm
达到SVHC

无SVHC
RoHS状态

ROHS3 Compliant

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