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首页 全部分类 IPD50R399CPATMA1 vs STD12NM50ND

IPD50R399CPATMA1备选型号: STD12NM50ND

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  • 系列
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  • 终止次数
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  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 终端形式
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  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • Vgs（最大值）
  • JEDEC-95代码
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    IPD50R399CPATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-Ch 550V 9A DPAK-2
    26 Weeks
    表面贴装
    TO-252-3
    3
    3.949996g
    80 ns
    Tape & Reel (TR)
    2008
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    SMD/SMT
    150°C
    -55°C
    83W
    1
    Single
    83W
    35 ns
    14ns
    500V
    14 ns
    9A
    3V
    20V
    500V
    550V
    550V
    890pF
    399mOhm
    399 mΩ
    3 V
    2.413mm
    6.73mm
    6.223mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    -
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  • STMicroelectronics
    STD12NM50ND
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 500V 11A DPAK
    -
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    -
    11A Tc
    Tape & Reel (TR)
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
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    100W
    12 ns
    15ns
    500V
    17 ns
    11A
    -
    25V
    -
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    -
    ROHS3 Compliant
    表面贴装
    SILICON
    5V @ 250μA
    150°C TJ
    FDmesh™ II
    e3
    2
    EAR99
    Matte Tin (Sn) - annealed
    SINGLE
    鸥翼
    260
    30
    STD12
    R-PSSO-G2
    SINGLE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    380m Ω @ 5.5A, 10V
    850pF @ 50V
    30nC @ 10V
    ±25V
    TO-252AA
    44A
    500V
    无
    无铅
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