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IPD50R950CEAUMA1备选型号: IPD50R3K0CEAUMA1
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- 输入电容
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- 场效应管技术
- 漏源电阻
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- 高度
- 长度
- 宽度
- RoHS状态
- 无铅
- 安装类型
- 晶体管元件材料
- 系列
- 操作温度
- HTS代码
- 端子位置
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 配置
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- Vgs（最大值）
- 漏极-源极导通最大电阻
MOSFET CONSUMER18 Weeks表面贴装TO-252-331Tape & Reel (TR)2008e3yes活跃3 (168 Hours)2EAR99Tin (Sn)150°C-55°C34W鸥翼not_compliantR-PSSO-G2Single增强型MOSFET34W7 nsSWITCHING无卤素4.9ns500VN-CHANNEL19.5 ns4.3A20V500V500V12.8A231pF68 mJMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR950mOhm950 mΩ2.41mm6.73mm6.22mmROHS3 CompliantContains Lead, Lead Free----------------
MOSFET N-CH 500V 1.7A PG-TO-25218 Weeks表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63-26W TcTape & Reel (TR)2013e3yes活跃3 (168 Hours)2EAR99Tin (Sn)---鸥翼not_compliantR-PSSO-G2-增强型MOSFET--SWITCHING无卤素----1.7A-500V-4.1A-18 mJ------ROHS3 Compliant含铅表面贴装SILICONCoolMOS™ CE-55°C~150°C TJ8541.29.00.95SINGLE未说明未说明SINGLE WITH BUILT-IN DIODEN-Channel3 Ω @ 400mA, 13V3.5V @ 30μA84pF @ 100V4.3nC @ 10V±20V3Ohm- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IPD50R2K0CEAUMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 500V 2.4A PG-TO252 | 对比 |
 | STB5NK50ZT4 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-Ch 500 Volt 4.4Amp | 对比 |
| IPD50R3K0CEAUMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 500V 1.7A PG-TO-252 | 对比 |
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