IPD50R950CEAUMA1备选型号: STB5NK50ZT4

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  • 工厂交货时间
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  • JESD-609代码
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  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
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  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 最高工作温度
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  • 最大功率耗散
  • 终端形式
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  • JESD-30代码
  • 元素配置
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  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 无卤素
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 极性/通道类型
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 输入电容
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • 场效应管技术
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 安装类型
  • 供应商器件包装
  • 操作温度
  • 系列
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 基本部件号
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • Vgs(最大值)
  • 阈值电压
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    MOSFET CONSUMER
    18 Weeks
    表面贴装
    TO-252-3
    3
    1
    Tape & Reel (TR)
    2008
    e3
    yes
    活跃
    3 (168 Hours)
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    150°C
    -55°C
    34W
    鸥翼
    not_compliant
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    34W
    7 ns
    SWITCHING
    无卤素
    4.9ns
    500V
    N-CHANNEL
    19.5 ns
    4.3A
    20V
    500V
    500V
    12.8A
    231pF
    68 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    950mOhm
    950 mΩ
    2.41mm
    6.73mm
    6.22mm
    ROHS3 Compliant
    Contains Lead, Lead Free
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    MOSFET N-Ch 500 Volt 4.4Amp
    -
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    4.4A Tc
    Tape & Reel (TR)
    -
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    150°C
    -55°C
    -
    -
    -
    -
    Single
    -
    70W
    15 ns
    -
    -
    10ns
    500V
    -
    15 ns
    4.4A
    30V
    -
    500V
    -
    535pF
    -
    -
    1.5Ohm
    1.5 Ω
    4.6mm
    10.75mm
    10.4mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    表面贴装
    D2PAK
    -55°C~150°C TJ
    SuperMESH™
    500V
    4.4A
    STB5N
    N-Channel
    1.5Ohm @ 2.2A, 10V
    4.5V @ 50μA
    535pF @ 25V
    28nC @ 10V
    ±30V
    3.75V
    无SVHC
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