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首页 全部分类 IPD60R1K0CEATMA1 vs IPD60R1K4C6ATMA1

IPD60R1K0CEATMA1备选型号: IPD60R1K4C6ATMA1

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  • 通道数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 引脚数
  • JESD-609代码
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • Reach合规守则
  • 配置
  • 无卤素
  • 最大双电源电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • Infineon Technologies
    IPD60R1K0CEATMA1
    Infineon Technologies
    N-Channel 600 V 4.3 A 1000 mO 13 nC CoolMOS CE Power Transistor - DPAK
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3.949996g
    SILICON
    4.3A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    CoolMOS™ CE
    2015
    yes
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    2
    EAR99
    鸥翼
    未说明
    未说明
    R-PSSO-G2
    1
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    10 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    1 Ω @ 1.5A, 10V
    3.5V @ 130μA
    280pF @ 100V
    13nC @ 10V
    8ns
    600V
    ±20V
    13 ns
    4.3A
    20V
    1Ohm
    600V
    46 mJ
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPD60R1K4C6ATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 650V 3.2A 3-Pin(2 Tab) TO-252
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    -
    SILICON
    3.2A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    CoolMOS™ C6
    2008
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    2
    -
    鸥翼
    -
    -
    R-PSSO-G2
    -
    -
    增强型MOSFET
    DRAIN
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    1.4 Ω @ 1.1A, 10V
    3.5V @ 90μA
    200pF @ 100V
    9.4nC @ 10V
    -
    -
    ±20V
    -
    3.2A
    -
    -
    -
    26 mJ
    ROHS3 Compliant
    含铅
    12 Weeks
    3
    e3
    Tin (Sn)
    SINGLE
    not_compliant
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    无卤素
    600V
    8A
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