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首页 全部分类 IPD80R1K4CEATMA1 vs IPD60R1K0CEATMA1

IPD80R1K4CEATMA1备选型号: IPD60R1K0CEATMA1

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  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • Infineon Technologies
    IPD80R1K4CEATMA1
    Infineon Technologies
    Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.3A; 63W; PG-TO252-3
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    PG-TO252-3
    3.949996g
    3.9A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    CoolMOS™
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    1
    Single
    63W
    25 ns
    N-Channel
    1.4Ohm @ 2.3A, 10V
    3.9V @ 240μA
    570pF @ 100V
    23nC @ 10V
    15ns
    800V
    ±20V
    12 ns
    3.9A
    20V
    800V
    570pF
    1.4Ohm
    1.4 Ω
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPD60R1K0CEATMA1
    Infineon Technologies
    N-Channel 600 V 4.3 A 1000 mO 13 nC CoolMOS CE Power Transistor - DPAK
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    -
    -
    3.949996g
    4.3A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    CoolMOS™ CE
    2015
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    -
    -
    1
    Single
    -
    10 ns
    N-Channel
    1 Ω @ 1.5A, 10V
    3.5V @ 130μA
    280pF @ 100V
    13nC @ 10V
    8ns
    600V
    ±20V
    13 ns
    4.3A
    20V
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    SILICON
    yes
    2
    EAR99
    鸥翼
    未说明
    未说明
    R-PSSO-G2
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    1Ohm
    600V
    46 mJ
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