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首页 全部分类 IPD80R1K4CEATMA1 vs SPD03N60S5BTMA1

IPD80R1K4CEATMA1备选型号: SPD03N60S5BTMA1

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  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 终止次数
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  • 端子位置
  • 终端形式
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  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 无卤素
  • JEDEC-95代码
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • Infineon Technologies
    IPD80R1K4CEATMA1
    Infineon Technologies
    Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.3A; 63W; PG-TO252-3
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    PG-TO252-3
    3.949996g
    3.9A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    CoolMOS™
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    1
    Single
    63W
    25 ns
    N-Channel
    1.4Ohm @ 2.3A, 10V
    3.9V @ 240μA
    570pF @ 100V
    23nC @ 10V
    15ns
    800V
    ±20V
    12 ns
    3.9A
    20V
    800V
    570pF
    1.4Ohm
    1.4 Ω
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    SPD03N60S5BTMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 600V 3.2A 3-Pin(2 Tab) TO-252
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    -
    -
    -
    3.2A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    CoolMOS™
    2005
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    38W
    35 ns
    N-Channel
    1.4 Ω @ 2A, 10V
    5.5V @ 135μA
    420pF @ 25V
    16nC @ 10V
    25ns
    -
    ±20V
    15 ns
    3.2A
    20V
    600V
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    含铅
    SILICON
    e3
    no
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    雪崩 额定
    SINGLE
    鸥翼
    未说明
    未说明
    3
    R-PSSO-G2
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    不含卤素
    TO-252AA
    5.7A
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