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首页 全部分类 IPL60R185C7AUMA1 vs IPD60R180C7ATMA1

IPL60R185C7AUMA1备选型号: IPD60R180C7ATMA1

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  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 无卤素
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  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
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  • 最大双电源电压
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  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • Infineon Technologies
    IPL60R185C7AUMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 600V 13A 4VSON
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    4-PowerTSFN
    4
    SILICON
    77W Tc
    4V @ 260μA
    Tape & Reel (TR)
    CoolMOS™ C7
    2008
    -40°C~150°C TJ
    e3
    yes
    活跃
    2A (4 Weeks)
    4
    EAR99
    Tin (Sn)
    SINGLE
    无铅
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    185m Ω @ 5.3A, 10V
    无卤素
    1080pF @ 400V
    24nC @ 10V
    ±20V
    13A
    600V
    0.185Ohm
    53 mJ
    not_compliant
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPD60R180C7ATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH TO252-3
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    -
    SILICON
    13A Tc
    4V @ 260μA
    Tape & Reel (TR)
    CoolMOS™ C7
    2008
    -55°C~150°C TJ
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    -
    Tin (Sn)
    SINGLE
    鸥翼
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    180m Ω @ 5.3A, 10V
    无卤素
    1080pF @ 400V
    24nC @ 10V
    ±20V
    13A
    600V
    0.18Ohm
    53 mJ
    not_compliant
    ROHS3 Compliant
    含铅
    未说明
    未说明
    R-PSSO-G2
    45A
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