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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥33.741184
10
¥31.831302
100
¥30.02953
500
¥28.32975
1000
¥26.72618
STMicroelectronics STL24NM60N
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- 对比
STL24NM60N
2381-STL24NM60N
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-PowerVDFN
大陆
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MOSFET N-CH 600V 16A POWERFLAT
--最小包装量--
¥
总价: ¥
STL24NM60N详情
STMicroelectronics STL24NM60N重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
工厂交货时间
12 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerVDFN
引脚数
5
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
3.3A Ta 16A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
3W Ta 125W Tc
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
MDmesh™ II
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
5
ECCN 代码
EAR99
电阻
215MOhm
端子位置
SINGLE
基本部件号
STL24
引脚数量
5
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
3W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
11.5 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
215m Ω @ 8A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1400pF @ 50V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
46nC @ 10V
上升时间
16.5ns
Vgs(最大值)
±25V
下降时间(典型值)
37 ns
连续放电电流(ID)
16A
阈值电压
4V
栅极至源极电压(Vgs)
25V
漏源击穿电压
600V
雪崩能量等级(Eas)
300 mJ
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
STL24NM60N拓展信息
STMicroelectronics
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