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首页 全部分类 IPL60R185C7AUMA1 vs STL24NM60N

IPL60R185C7AUMA1备选型号: STL24NM60N

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  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    IPL60R185C7AUMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 600V 13A 4VSON
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    4-PowerTSFN
    4
    SILICON
    77W Tc
    4V @ 260μA
    Tape & Reel (TR)
    CoolMOS™ C7
    2008
    -40°C~150°C TJ
    e3
    yes
    活跃
    2A (4 Weeks)
    4
    EAR99
    Tin (Sn)
    SINGLE
    无铅
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    185m Ω @ 5.3A, 10V
    无卤素
    1080pF @ 400V
    24nC @ 10V
    ±20V
    13A
    600V
    0.185Ohm
    53 mJ
    not_compliant
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STL24NM60N
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 600V 16A POWERFLAT
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    5
    SILICON
    3.3A Ta 16A Tc
    5V @ 250μA
    Tape & Reel (TR)
    MDmesh™ II
    -
    150°C TJ
    -
    -
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    3 (168 Hours)
    5
    EAR99
    -
    SINGLE
    -
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    215m Ω @ 8A, 10V
    -
    1400pF @ 50V
    46nC @ 10V
    ±25V
    16A
    -
    -
    300 mJ
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    215MOhm
    STL24
    3W
    11.5 ns
    16.5ns
    37 ns
    4V
    25V
    600V
    无
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