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首页 全部分类 IPL60R185C7AUMA1 vs STL25N60M2-EP

IPL60R185C7AUMA1备选型号: STL25N60M2-EP

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  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 无卤素
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • Vgs（最大值）
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  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 基本部件号
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Infineon Technologies
    IPL60R185C7AUMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 600V 13A 4VSON
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    4-PowerTSFN
    4
    SILICON
    77W Tc
    4V @ 260μA
    Tape & Reel (TR)
    CoolMOS™ C7
    2008
    -40°C~150°C TJ
    e3
    yes
    活跃
    2A (4 Weeks)
    4
    EAR99
    Tin (Sn)
    SINGLE
    无铅
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    185m Ω @ 5.3A, 10V
    无卤素
    1080pF @ 400V
    24nC @ 10V
    ±20V
    13A
    600V
    0.185Ohm
    53 mJ
    not_compliant
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STL25N60M2-EP
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 600V 16A MLPD8X8 4L
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    -
    16A Tc
    4.75V @ 250μA
    Cut Tape (CT)
    MDmesh™ M2-EP
    -
    -55°C~150°C TJ
    -
    -
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    3 (168 Hours)
    -
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    N-Channel
    -
    205m Ω @ 8A, 10V
    -
    1090pF @ 100V
    29nC @ 10V
    ±25V
    16A
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    STL25
    600V
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