IPN50R2K0CEATMA1备选型号: IPN50R3K0CEATMA1
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 表面安装
- 晶体管元件材料
- 终止次数
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 漏极-源极导通最大电阻
- DS 击穿电压-最小值
- INFINEON IPN50R2K0CEATMA1 MOSFET Transistor, N Channel, 3.6 A, 500 V, 1.8 ohm, 13 V, 3 VNew18 Weeks表面贴装SOT-223-333.6A Tc3.5V @ 50μA-40°C~150°C TJTape & Reel (TR)CoolMOS™ CE2013e3yes活跃3 (168 Hours)EAR99Tin (Sn)N-Channel2 Ω @ 600mA, 13V124pF @ 100V6nC @ 10V500V±20V3.6A3V无SVHCROHS3 Compliant-------------
- INFINEON IPN50R3K0CEATMA1 MOSFET Transistor, N Channel, 2.6 A, 500 V, 2.7 ohm, 13 V, 3 VNew18 Weeks表面贴装SOT-223-332.6A Tc3.5V @ 30μA-40°C~150°C TJTape & Reel (TR)CoolMOS™ CE2013e3yes活跃3 (168 Hours)EAR99Tin (Sn)N-Channel3 Ω @ 400mA, 13V84pF @ 100V4.3nC @ 10V500V±20V2.6A3V无SVHCROHS3 CompliantYESSILICON3DUAL鸥翼未说明未说明SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINSWITCHING3Ohm500V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | STN1NK60Z | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-261-4, TO-261AA | Trans MOSFET N-CH 600V 0.3A 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R | 对比 |
![]() | IPN50R950CEATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-261-3 | INFINEON IPN50R950CEATMA1 MOSFET Transistor, N Channel, 6.6 A, 500 V, 0.86 ohm, 13 V, 3 VNew | 对比 |
![]() | IPN50R1K4CEATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | SOT-223-3 | INFINEON IPN50R1K4CEATMA1 MOSFET Transistor, N Channel, 4.8 A, 500 V, 1.26 ohm, 13 V, 3 VNew | 对比 |




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