IRF40H210备选型号: IPB120N04S401ATMA1
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- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- RoHS状态
- 无铅
- 底架
- 供应商器件包装
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 接通延迟时间
- 无卤素
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
- MOSFET N-CH 40V 100A PQFN5X612 Weeks表面贴装8-PowerVDFN8100A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®, StrongIRFET™2013活跃1 (Unlimited)EAR991.7mOhm未说明未说明N-Channel1.7m Ω @ 100A, 10V3.7V @ 150μA5406pF @ 25V152nC @ 10V40V±20V100AROHS3 Compliant无铅-------------
- MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3-216 Weeks表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3120A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)OptiMOS™2010活跃1 (Unlimited)----N-Channel1.5mOhm @ 100A, 10V4V @ 140μA14000pF @ 25V176nC @ 10V40V±20V120AROHS3 Compliant含铅表面贴装D2PAK (TO-263AB)175°C-55°C34 ns无卤素16ns36 ns20V40V14nF1.35mOhm1.5 mΩ
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IPB120N04S401ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3-2 | 对比 |
| BUK961R7-40E,118 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | CONN PIN 20-24AWG 15 GOLD CRIMP | 对比 | |
![]() | IPB120N04S4L02ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH TO263-3 | 对比 |




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