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IRF40H210备选型号: IPB120N04S4L02ATMA1
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- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- RoHS状态
- 无铅
- 底架
- 晶体管元件材料
- 无铅代码
- 终止次数
- 端子位置
- 终端形式
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 无卤素
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
MOSFET N-CH 40V 100A PQFN5X612 Weeks表面贴装8-PowerVDFN8100A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®, StrongIRFET™2013活跃1 (Unlimited)EAR991.7mOhm未说明未说明N-Channel1.7m Ω @ 100A, 10V3.7V @ 150μA5406pF @ 25V152nC @ 10V40V±20V100AROHS3 Compliant无铅---------------
MOSFET N-CH TO263-314 Weeks表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB-120A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™2013活跃1 (Unlimited)--未说明未说明N-Channel1.7m Ω @ 100A, 10V2.2V @ 110μA14560pF @ 25V190nC @ 10V-+20V, -16V120AROHS3 Compliant含铅表面贴装SILICONyes2SINGLE鸥翼R-PSSO-G2SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAIN无卤素40V0.0017Ohm480A480 mJ- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IPB120N04S401ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3-2 | 对比 |
 | BUK961R7-40E,118 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | CONN PIN 20-24AWG 15 GOLD CRIMP | 对比 |
| IPB120N04S4L02ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH TO263-3 | 对比 |
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