NXP USA Inc. BUK961R7-40E,118

表面安装

YES

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

安装类型

表面贴装

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2.1V @ 1mA

Power Dissipation (Max)

324W Tc

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

5V 10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

120A Tc

系列

TrenchMOS™

已出版

2012

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-55°C~175°C TJ

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

雪崩 额定

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

参考标准

AEC-Q101; IEC-60134

JESD-30代码

R-PSSO-G2

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.5m Ω @ 25A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

15010pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

105.4nC @ 5V

漏源电压 (Vdss)

40V

Vgs（最大值）

±10V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

120A

漏极-源极导通最大电阻

0.0017Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

1260A

DS 击穿电压-最小值

40V

雪崩能量等级（Eas）

801 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant

达到SVHC

not_compliant