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首页 全部分类 IRF6616TR1 vs BSC050N03LSGATMA1

IRF6616TR1备选型号: BSC050N03LSGATMA1

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  • 漏源电阻
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  • 无铅
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  • 触点镀层
  • 无卤素
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  • Infineon Technologies
    IRF6616TR1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 19A DIRECTFET
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric MX
    7
    DIRECTFET™ MX
    19A Ta 106A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2005
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    SMD/SMT
    150°C
    -40°C
    30V
    19A
    2.8W
    N-Channel
    5mOhm @ 19A, 10V
    2.25V @ 250μA
    3765pF @ 20V
    44nC @ 4.5V
    19ns
    30V
    ±20V
    4.4 ns
    15 ns
    19A
    1.8V
    30V
    40V
    40V
    3.765nF
    3.7mOhm
    5 mΩ
    1.8 V
    无SVHC
    Non-RoHS Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BSC050N03LSGATMA1
    Infineon Technologies
    Single N-Channel 30 V 7.5 mOhm 17 nC OptiMOS? Power Mosfet - TDSON-8
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    PG-TDSON-8-5
    18A Ta 80A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2000
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    150°C
    -55°C
    -
    -
    50W
    N-Channel
    5mOhm @ 30A, 10V
    2.2V @ 250μA
    2800pF @ 15V
    35nC @ 10V
    4ns
    30V
    ±20V
    -
    -
    80A
    2.2V
    20V
    -
    -
    2.8nF
    4.2mOhm
    5 mΩ
    -
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    含铅
    39 Weeks
    Tin
    无卤素
    30V
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