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首页 全部分类 IRF6616TR1 vs IRFH8325TR2PBF

IRF6616TR1备选型号: IRFH8325TR2PBF

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  • 输入电容
  • 漏源电阻
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  • 栅源电压
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  • RoHS状态
  • 无铅
  • 电阻
  • 最大功率耗散
  • 元素配置
  • 接通延迟时间
  • 恢复时间
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    IRF6616TR1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 19A DIRECTFET
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric MX
    7
    DIRECTFET™ MX
    19A Ta 106A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2005
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    SMD/SMT
    150°C
    -40°C
    30V
    19A
    2.8W
    N-Channel
    5mOhm @ 19A, 10V
    2.25V @ 250μA
    3765pF @ 20V
    44nC @ 4.5V
    19ns
    30V
    ±20V
    4.4 ns
    15 ns
    19A
    1.8V
    30V
    40V
    40V
    3.765nF
    3.7mOhm
    5 mΩ
    1.8 V
    无SVHC
    Non-RoHS Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFH8325TR2PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 17A 5X6 PQFN
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    PQFN (5x6)
    1
    -
    Cut Tape (CT)
    HEXFET®
    2013
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    150°C
    -55°C
    -
    -
    3.6W
    N-Channel
    5mOhm @ 20A, 10V
    2.35V @ 50μA
    2487pF @ 10V
    32nC @ 10V
    16ns
    30V
    -
    7.1 ns
    -
    21A
    1.8V
    20V
    30V
    -
    2.487nF
    5mOhm
    5 mΩ
    1.8 V
    无SVHC
    符合RoHS标准
    无铅
    5MOhm
    3.6W
    Single
    12 ns
    24 ns
    1.17mm
    5.85mm
    5mm
    无
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