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IRF6674TRPBF备选型号: FDB13AN06A0

IRF6674TRPBF

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 60V 13.4A DIRECTFET

12 Weeks
表面贴装
表面贴装
DirectFET™ Isometric MZ
5
SILICON
13.4A Ta 67A Tc
-40°C~150°C TJ
Tape & Reel (TR)
HEXFET®
2008
e1
活跃
1 (Unlimited)
3
EAR99
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
BOTTOM
R-XBCC-N3
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
增强型MOSFET
89W
DRAIN
7 ns
N-Channel
SWITCHING
11m Ω @ 13.4A, 10V
4.9V @ 100μA
1350pF @ 25V
36nC @ 10V
12ns
±20V
8.7 ns
67A
4V
20V
60V
98 mJ
4 V
530μm
6.35mm
5.05mm
无SVHC
无
ROHS3 Compliant
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
FDB13AN06A0

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 60V 10.9A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R

8 Weeks
表面贴装
表面贴装
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
3
SILICON
10.9A Ta 62A Tc
-55°C~175°C TJ
Tape & Reel (TR)
PowerTrench®
2003
e3
活跃
1 (Unlimited)
2
EAR99
-
-
R-PSSO-G2
-
增强型MOSFET
115W
DRAIN
9 ns
N-Channel
SWITCHING
13.5m Ω @ 62A, 10V
4V @ 250μA
1350pF @ 25V
29nC @ 10V
96ns
±20V
26 ns
62A
4V
20V
60V
56 mJ
4 V
4.83mm
10.67mm
11.33mm
无SVHC
-
ROHS3 Compliant
ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
Tin
1.31247g
yes
SMD/SMT
13.5MOhm
60V
鸥翼
未说明
not_compliant
62A
未说明
不合格
Single
60V
无铅
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