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IRF6674TRPBF备选型号: IRF1018ESPBF
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- 引脚数
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- 操作温度
- 包装
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- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级（Eas）
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 电阻
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 元素配置
- 恢复时间
- 无铅
MOSFET N-CH 60V 13.4A DIRECTFET12 Weeks表面贴装表面贴装DirectFET™ Isometric MZ5SILICON13.4A Ta 67A Tc-40°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2008e1活跃1 (Unlimited)3EAR99Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)BOTTOMR-XBCC-N3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET89WDRAIN7 nsN-ChannelSWITCHING11m Ω @ 13.4A, 10V4.9V @ 100μA1350pF @ 25V36nC @ 10V12ns±20V8.7 ns67A4V20V60V98 mJ4 V530μm6.35mm5.05mm无SVHC无ROHS3 Compliant-------
MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK52 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON79A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®2008e3Discontinued1 (Unlimited)2EAR99Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier-R-PSSO-G2-增强型MOSFET110WDRAIN13 nsN-ChannelSWITCHING8.4m Ω @ 47A, 10V4V @ 100μA2290pF @ 50V69nC @ 10V35ns±20V46 ns79A4V20V60V88 mJ-4.826mm10.668mm9.65mm无SVHC无ROHS3 Compliant8.4MOhm鸥翼26030Single39 ns无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FDB13AN06A0 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 60V 10.9A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R | 对比 |
 | FDD13AN06A0 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Trans MOSFET N-CH 60V 9.9A 3-Pin(2 Tab) TO-252AA T/R | 对比 |
| IRF1018ESPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK | 对比 |
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