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IRF6678TR1PBF备选型号: IRF6618TRPBF

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  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 晶体管元件材料
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  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • Infineon Technologies
    IRF6678TR1PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric MX
    5
    DIRECTFET™ MX
    30A Ta 150A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2006
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    SMD/SMT
    2.2MOhm
    150°C
    -40°C
    30V
    30A
    89W
    21 ns
    N-Channel
    2.2mOhm @ 30A, 10V
    2.25V @ 250μA
    5640pF @ 15V
    65nC @ 4.5V
    71ns
    30V
    ±20V
    8.1 ns
    24A
    1.35V
    20V
    30V
    30V
    5.64nF
    3mOhm
    2.2 mΩ
    1.35 V
    506μm
    6.35mm
    5.05mm
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF6618TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric MT
    5
    -
    30A Ta 170A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2007
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    2.2MOhm
    -
    -
    30V
    30A
    89W
    21 ns
    N-Channel
    2.2m Ω @ 30A, 10V
    2.35V @ 250μA
    5640pF @ 15V
    65nC @ 4.5V
    71ns
    -
    ±20V
    8.1 ns
    170mA
    1.64V
    20V
    30V
    -
    -
    -
    -
    -
    508μm
    6.35mm
    5.0546mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    12 Weeks
    SILICON
    e1
    3
    EAR99
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    BOTTOM
    260
    30
    R-XBCC-N3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    29A
    240A
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