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首页 全部分类 IRF6678TR1PBF vs IRF6726MTR1PBF

IRF6678TR1PBF备选型号: IRF6726MTR1PBF

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  • 无铅
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  • 终止次数
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  • 元素配置
  • 操作模式
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  • 晶体管应用
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  • 恢复时间
  • Infineon Technologies
    IRF6678TR1PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric MX
    5
    DIRECTFET™ MX
    30A Ta 150A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2006
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    SMD/SMT
    2.2MOhm
    150°C
    -40°C
    30V
    30A
    89W
    21 ns
    N-Channel
    2.2mOhm @ 30A, 10V
    2.25V @ 250μA
    5640pF @ 15V
    65nC @ 4.5V
    71ns
    30V
    ±20V
    8.1 ns
    24A
    1.35V
    20V
    30V
    30V
    5.64nF
    3mOhm
    2.2 mΩ
    1.35 V
    506μm
    6.35mm
    5.05mm
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF6726MTR1PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric MT
    7
    -
    32A Ta 180A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2007
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    SMD/SMT
    -
    -
    -
    -
    -
    2.8W
    20 ns
    N-Channel
    1.7m Ω @ 32A, 10V
    2.35V @ 150μA
    6140pF @ 15V
    77nC @ 4.5V
    30ns
    -
    ±20V
    17 ns
    32A
    1.7V
    20V
    30V
    30V
    -
    -
    -
    1.7 V
    508μm
    5.45mm
    5.05mm
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    SILICON
    3
    EAR99
    BOTTOM
    R-XBCC-N3
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    250A
    260 mJ
    41 ns
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