IRF6678TR1PBF备选型号: STL160N3LLH6
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- 湿度敏感性等级(MSL)
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- 最高工作温度
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- 电压 - 额定直流
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- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 晶体管元件材料
- 终止次数
- ECCN 代码
- 附加功能
- 端子位置
- 基本部件号
- 引脚数量
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 雪崩能量等级(Eas)
- MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET表面贴装表面贴装DirectFET™ Isometric MX5DIRECTFET™ MX30A Ta 150A Tc-40°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2006Obsolete1 (Unlimited)SMD/SMT2.2MOhm150°C-40°C30V30A89W21 nsN-Channel2.2mOhm @ 30A, 10V2.25V @ 250μA5640pF @ 15V65nC @ 4.5V71ns30V±20V8.1 ns24A1.35V20V30V30V5.64nF3mOhm2.2 mΩ1.35 V506μm6.35mm5.05mm无SVHC无符合RoHS标准无铅--------------
- MOSFET N-Ch 30V 0.0011 Ohm 35A STripFET VI表面贴装表面贴装8-PowerVDFN5-160A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)DeepGATE™, STripFET™ VI-活跃1 (Unlimited)-1.3MOhm----80W18.5 nsN-Channel1.3m Ω @ 17.5A, 10V1V @ 250μA6375pF @ 25V61.5nC @ 4.5V32ns-±20V54 ns160A1V20V30V-----880μm4.75mm5.75mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)20 WeeksSILICON5EAR99ULTRA-LOW RESISTANCEDUALSTL1608SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINSWITCHING900 mJ
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | STL150N3LLH5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerVDFN | MOSFET N-CH 30V 35A POWERFLAT6X5 | 对比 |
![]() | STL160N3LLH6 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerVDFN | MOSFET N-Ch 30V 0.0011 Ohm 35A STripFET VI | 对比 |
![]() | IRF6726MTR1PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | DirectFET™ Isometric MT | MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET | 对比 |






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