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首页 全部分类 IRF6713STR1PBF vs IRFH4255DTRPBF

IRF6713STR1PBF备选型号: IRFH4255DTRPBF

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  • 长度
  • 高度
  • 辐射硬化
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
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  • 最大功率耗散
  • 基本部件号
  • 元素配置
  • 功率 - 最大
  • 场效应管特性
  • Infineon Technologies
    IRF6713STR1PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 25V 22A DIRECTFET
    DirectFET™ Isometric SQ
    表面贴装
    表面贴装
    6
    DIRECTFET™ SQ
    22A Ta 95A Tc
    HEXFET®
    2008
    Tape & Reel (TR)
    -40°C~150°C TJ
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    SMD/SMT
    3MOhm
    150°C
    -40°C
    2.2W
    12 ns
    N-Channel
    3mOhm @ 22A, 10V
    2.4V @ 50μA
    2880pF @ 13V
    32nC @ 4.5V
    13ns
    25V
    ±20V
    6 ns
    22A
    1.9V
    20V
    25V
    25V
    2.88nF
    30 ns
    4.6mOhm
    3 mΩ
    1.9 V
    3.95mm
    3.95mm
    508μm
    无
    无SVHC
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFH4255DTRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET 2N-CH 25V 64A/105A PQFN
    8-PowerVDFN
    表面贴装
    表面贴装
    8
    -
    2
    HEXFET®
    2013
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~150°C TJ
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    2 N-Channel (Dual)
    3.2m Ω @ 30A, 10V
    2.1V @ 35μA
    1314pF @ 13V
    15nC @ 4.5V
    -
    25V
    -
    -
    30A
    1.6V
    20V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    5mm
    6mm
    900μm
    无
    无SVHC
    符合RoHS标准
    无铅
    Tin
    EAR99
    38W
    IRFH4255
    Dual
    31W 38W
    逻辑电平门
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