IRF7303QTRPBF备选型号: IRF7421D1TRPBF

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  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 场效应管技术
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  • 供应商器件包装
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  • 额定电流
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  • 漏源击穿电压
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    2
    Cut Tape (CT)
    HEXFET®
    2010
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    2W
    IRF7303QPBF
    增强型MOSFET
    2W
    6.8 ns
    2 N-Channel (Dual)
    50m Ω @ 2.4A, 10V
    1V @ 250μA
    520pF @ 25V
    25nC @ 10V
    21ns
    30V
    7.7 ns
    4.9A
    20V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Standard
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-SOIC
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    5.8A Ta
    Tape & Reel (TR)
    FETKY™
    2004
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    -
    -
    -
    2W
    6.7 ns
    N-Channel
    35mOhm @ 4.1A, 10V
    1V @ 250μA
    510pF @ 25V
    27nC @ 10V
    27ns
    30V
    16 ns
    5.8A
    20V
    -
    Schottky Diode (Isolated)
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    符合RoHS标准
    8-SO
    -55°C~150°C TJ
    35MOhm
    30V
    5.8A
    ±20V
    30V
    510pF
    60mOhm
    35 mΩ
    无铅
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