Infineon Technologies IRF7303QTRPBF

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

22 ns

包装

Cut Tape (CT)

系列

HEXFET®

已出版

2010

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

最大功率耗散

2W

基本部件号

IRF7303QPBF

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2W

接通延迟时间

6.8 ns

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

Rds On(Max)@Id,Vgs

50m Ω @ 2.4A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

520pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

25nC @ 10V

上升时间

21ns

漏源电压 (Vdss)

30V

下降时间（典型值）

7.7 ns

连续放电电流(ID)

4.9A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

Standard

高度

1.4986mm

长度

4.9784mm

宽度

3.9878mm

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准