STMicroelectronics STS4DNFS30

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2W Tc

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

4.5A Tc

Turn Off Delay Time

15 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

STripFET™

JESD-609代码

e4

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

镍钯金

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

基本部件号

STS4D

引脚数量

8

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2W

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

55m Ω @ 2A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

330pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

4.7nC @ 5V

上升时间

17ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

6 ns

连续放电电流(ID)

4.5A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

30V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

13A

场效应管特性

Schottky Diode (Isolated)

RoHS状态

ROHS3 Compliant