IRF7421D1TRPBF备选型号: DMC3028LSD-13
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- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 供应商器件包装
- 操作温度
- 包装
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 电阻
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 输入电容
- 场效应管特性
- 漏源电阻
- 最大rds
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 质量
- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- 操作模式
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 场效应管技术
- 达到SVHC
- MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-SOIC表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)88-SO5.8A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)FETKY™2004Obsolete1 (Unlimited)35MOhm150°C-55°C30V5.8A2W6.7 nsN-Channel35mOhm @ 4.1A, 10V1V @ 250μA510pF @ 25V27nC @ 10V27ns30V±20V16 ns5.8A20V30V510pFSchottky Diode (Isolated)60mOhm35 mΩ1.4986mm4.9784mm3.9878mm无符合RoHS标准无铅---------------------
- MOSFET N/P-CH 30V 6.6A/6.8A 8SO表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8-6.6A 6.8A-55°C~150°C TJDigi-Reel®-2009活跃1 (Unlimited)-----2.1W3.5 nsN and P-Channel28m Ω @ 6A, 10V3V @ 250μA472pF @ 15V10.5nC @ 10V4.9ns--28 ns7.4A20V30V-逻辑电平门--1.5mm5mm4mm无ROHS3 Compliant无铅17 Weeks73.992255mgSILICONe3yes8EAR99Matte Tin (Sn)1.8WDUAL鸥翼26040DMC3028LSD8增强型MOSFETSWITCHINGN-CHANNEL AND P-CHANNEL5.5AMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRF9410TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 7A 8-SOIC | 对比 |
![]() | DMC3028LSD-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N/P-CH 30V 6.6A/6.8A 8SO | 对比 |
![]() | IRF7603TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width) | MOSFET N-CH 30V 5.6A MICRO8 | 对比 |





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