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首页 全部分类 IRF7524D1PBF vs IRF7504TRPBF

IRF7524D1PBF备选型号: IRF7504TRPBF

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  • 晶体管元件材料
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  • 电压 - 额定直流
  • 最大功率耗散
  • 终端形式
  • 额定电流
  • 基本部件号
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 阈值电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 场效应管技术
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    IRF7524D1PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET P-CH 20V 1.7A MICRO-8
    表面贴装
    表面贴装
    8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width)
    8
    1.7A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    FETKY™
    2005
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    未说明
    未说明
    1.25W
    P-Channel
    270m Ω @ 1.2A, 4.5V
    700mV @ 250μA
    240pF @ 15V
    8.2nC @ 4.5V
    35ns
    20V
    ±12V
    43 ns
    -1.7A
    12V
    -20V
    Schottky Diode (Isolated)
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF7504TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET 2P-CH 20V 1.7A MICRO8
    表面贴装
    表面贴装
    8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width)
    8
    1.7A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    1997
    不用于新设计
    2 (1 Year)
    -
    -
    1.25W
    2 P-Channel (Dual)
    270m Ω @ 1.2A, 4.5V
    700mV @ 250μA
    240pF @ 15V
    8.2nC @ 4.5V
    35ns
    20V
    -
    43 ns
    -1.7A
    12V
    -20V
    逻辑电平门
    ROHS3 Compliant
    12 Weeks
    Tin
    SILICON
    e3
    8
    270mOhm
    逻辑电平兼容
    -20V
    1.25W
    鸥翼
    -1.7A
    IRF7504PBF
    Dual
    增强型MOSFET
    9.1 ns
    SWITCHING
    -700mV
    9.6A
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    860μm
    3mm
    3mm
    无SVHC
    无
    无铅
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